圖6是在同一輻照度,陰隱透過率為35%情況下,通過改變組件遮擋的位置測(cè)出來的I-V特性曲線。遮擋數(shù)目為3塊(一塊組件36塊電池)。由I-V曲線圖可以看出雖然遮擋面積一樣,但不同的位置其I-V曲線表現(xiàn)不同的,但是開路電壓均相等。
圖6 位置不同而測(cè)定的I-V曲線(曲線1為遮擋的連續(xù)三塊電池;曲線2為遮擋的連續(xù)兩塊電池和一塊間隔開的電池;曲線3為遮擋的三塊分別間隔開的電池)
三、結(jié)論
本文利用計(jì)算機(jī)模擬和組件測(cè)試儀研究了由于電池的遮擋而引起的組件功率輸出與I-V特性變化之間的關(guān)系,組件被遮擋時(shí)的I-V特性變化與被遮擋的電池的電壓降落有關(guān)。
晶體硅太陽(yáng)電池組件的輸出I-V特性曲線與電池表面陰影、焊接不良及單體電池功率不匹配等因素有關(guān),不同因素對(duì)輸出功率的影響是不同的,研究這些因素的影響不僅對(duì)制造晶體硅太陽(yáng)電池組件由指導(dǎo)作用,而且也有利于人們正確判斷
光伏發(fā)電系統(tǒng)輸出降低或失效的原因。(作者微信公眾賬號(hào):
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