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太陽能硅片切割中薄厚片問題分析
日期:2015-02-25   [復制鏈接]
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 硅片切割中薄厚片問題分析

摘要:在太陽能硅片生產(chǎn)過程中,薄厚片的存在會影響產(chǎn)品的合格率,同時會影響電池片的生產(chǎn)工藝。本文主要對太陽能硅片產(chǎn)生薄厚片的原因進行了分析,以更好地降低和避免薄厚片的產(chǎn)生。

1 引言

切片工序是制備太陽能硅片的一道重要工序,太陽能硅片的切割原理是轉(zhuǎn)動的鋼線上攜帶著大量碳化硅顆粒,同時工作臺位置緩慢下降,由于碳化硅的硬度大于多晶硅(晶體硅的莫氏硬度為6.5,碳化硅的莫氏硬度為9.5),依靠碳化硅的棱角不斷地對硅塊進行磨削,起到切割作用。薄厚片是衡量硅片品質(zhì)的一個很重要的指標。薄厚片的存在會影響硅片合格率及電池片的生產(chǎn)工藝,因此這對硅片品質(zhì)提出了更加嚴格的要求。

2 硅片厚度產(chǎn)生偏差的原理

硅片的切割過程是在導輪上完成的,鋼線在導輪上纏繞形成相互平行的均勻線網(wǎng),并以10-15m/s的速度運動,砂漿經(jīng)漿料嘴均勻地流到線網(wǎng),砂漿中的碳化硅由于懸浮液的懸浮作用裹覆在鋼線上,對硅塊進行切割。但是隨著切割的進行,鋼線和碳化硅都會出現(xiàn)不同程度地磨損,鋼線的橢圓度增大,攜砂能力下降,同時碳化硅的圓度變大,平均粒徑減小,切割能力也有所降低,因此,通常在平行工作臺運動的方向,硅片入刀點厚度小于出刀點厚度;而和硅塊運動方向垂直的方向上,硅片入線側(cè)厚度小于出線側(cè)厚度。硅片厚度有一定的偏差范圍,對于180μm厚度的硅片,其偏差范圍為±20μm,超過此范圍則成為不良品--薄厚片。從根本上講,薄厚片的產(chǎn)生都是由于各種問題導致線網(wǎng)抖動而造成的。
 
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來源:《光能》雜志
 
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