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HJT 電池工藝步驟簡化，TCO 薄膜沉積分 PVD/RPD 兩種工藝。HJT電池工藝包括清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO 薄膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四步，其中TCO薄膜沉積分 PVD/RPD 兩種工藝。

PVD 磁控濺射工藝用被電磁場加速的高能粒子（Ar+）轟擊靶材，靶材表面原子獲得能量逸出，沉積在襯底表面形成氧化物薄膜。

RPD 工藝利用等離子體槍產(chǎn)生氧的等離子體，讓其進入生長腔后，在磁場作用下轟擊靶材，靶材溫度升高后生化形成蒸汽實現(xiàn)薄膜沉積。

目前主流技術路線是用 PVD工藝，相較于PVD，RPD的效率和質(zhì)量更高，但是受制于日本住友公司對設備和靶材的壟斷，成本較高。

靶材是 TCO 薄膜沉積的關鍵，ITO 靶材為最佳選擇。不論是 PVD 工藝還是RPD工藝，靶材都是必不可少的材料。目前市場化的靶材有 AZO 和 ITO 等。AZO材料價格較為經(jīng)濟，但其導電性較 ITO 相差較大，通過厚鍍膜來彌補導電性將極度降低光的透過率，將 大幅降低電池特性。ITO靶材就是氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生 產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)(1600度，通氧氣燒結(jié))形成的黑灰色陶瓷半導體，通過 調(diào)整氧化銦和氧化錫粉末的比例，可以提高 HJT 電池的轉(zhuǎn)換效率。

ITO 靶材以進口為主，國產(chǎn)替代正當時。全球 ITO 靶材市場主要供應商有日本日礦、 三井礦業(yè)、康寧、優(yōu)美科等，其壟斷了全球 80%的中高端市場份額和 90%的全球晶圓制 造靶材市場份額。我國ITO靶材大量依賴進口，國產(chǎn)ITO靶材主要集中在中低端領域， 根據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020 年市場份額僅在 30%左右。經(jīng)過多年發(fā)展，目前我國形成 了一批具備 ITO 靶材量產(chǎn)能力的企業(yè)，市場也開始逐漸導入國產(chǎn)靶材，靶材進口替代進 程有望不斷推進。


原標題：ITO靶材有望受益于HJT電池爆發(fā)