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3.2、串聯(lián)電阻值參數(shù)的優(yōu)化調(diào)整方法

在PVsyst軟件中未提到串聯(lián)電阻值Rs和輻照度的變化關(guān)系，相關(guān)文獻(xiàn)中[3][4]給出了晶硅電池串聯(lián)電阻值隨著輻照變化的趨勢，從圖10可知當(dāng)輻照降低時，電池的串聯(lián)電阻也有微小的變化，同時和Rsh的對比可知，Rs降低幅度比Rsh要小很多。


Rs（module）的調(diào)整參考圖11定義窗口，默認(rèn)提供了兩種輸入模式，第一種只需要輸入組件在不同光強和溫度下的相對STC條件轉(zhuǎn)換效率（可選 800, 600, 400 and 200 W/m²和 25°條件），第二種模式是輸入具體的光強、溫度、Isc、Voc、Impp和Vmpp值，參考圖12。


以XXX240-60P多晶組件為例，參考第三方權(quán)威測試機構(gòu)提供的低輻照測試結(jié)果（測試條件：200W/m2，25℃，AM1.5），在200W/m2下的電性能參數(shù)如表7所示，將Vm、Im、Isc和Voc輸入到PVsyst軟件，同時軟件自動計算在200W/m2時的轉(zhuǎn)換效率和其相對于STC下的轉(zhuǎn)換效率，其衰減比例為2.76%，完成后如圖13所示，點擊“OPtimizeRs”可獲得Rs（module）值，軟件自動進(jìn)行擬合得到Rs值為0.345Ω，同時600-800W/m2輻照區(qū)間的弱光損失結(jié)果顯示0.5%以內(nèi)。

表7第三方測試機構(gòu)提供的低輻照測試結(jié)果