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 證券代碼：605111 證券簡稱：新潔能 公告編號：2022-042

無錫新潔能股份有限公司

第四屆董事會第四次會議決議公告

本公司董事會及全體董事保證本公告內容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，并對其內容的真實性、準確性和完整性承擔法律責任。

一、董事會會議召開情況

無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱“公司”）第四屆董事會第四次會議通知于2022年6月22日以郵件的方式發(fā)出，會議于2022年6月27日以通訊方式召開。會議由董事長朱袁正主持，應參加會議董事9人，實際參加會議董事9人。本次董事會的召集、召開程序符合《中華人民共和國公司法》和《無錫新潔能股份有限公司章程》的有關規(guī)定，會議形成的決議合法有效。

二、董事會會議審議情況

經全體董事認真審閱，以書面記名方式對議案進行了表決，一致通過如下議案：

1、審議通過《關于全資子公司金蘭功率半導體（無錫）有限公司增資擴股引進投資者暨公司放棄優(yōu)先認購權的議案》；

表決結果：贊成票9票，反對票0票，棄權票0票，本議案通過。

根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃以及全資子公司金蘭功率半導體（無錫）有限公司（以下簡稱“金蘭功率”）的生產經營需要，金蘭功率擬將注冊資本由6,000萬元人民幣增加至10,000萬元人民幣，新增注冊資本4,000萬元人民幣由上海千凱優(yōu)電力技術合伙企業(yè)（有限合伙）以4,000萬元人民幣認購，公司放棄優(yōu)先認購權。

2、審議通過《關于對國硅集成電路技術（無錫）有限公司增資的議案》；

表決結果：贊成票9票，反對票0票，棄權票0票，本議案通過。

根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃及實際發(fā)展經營的需要，擬以自有資金8,000萬元人民幣對國硅集成電路技術（無錫）有限公司進行增資，注冊資本由315.7895萬元增加至631.579萬元，增資后公司持股比例由5%增至52.5%。本次增資以收益法評估結果作為定價依據(jù)，評估基準日為2022年3月31日，增資后國硅集成電路技術（無錫）有限公司納入公司2022年度合并財務報表范圍。

國硅集成電路技術（無錫）有限公司是一家專注于車規(guī)級智能功率集成電路芯片的設計公司，擁有完整的自主研發(fā)體系并掌握多項國內領先的關鍵核心技術，國內首創(chuàng)四端口單片集成高壓自舉、自適應高壓側窄脈沖傳輸、增強型快速電平移位、互導型電容隔離信號傳輸、超高精度的片上集成雙向過流保護等多項功率IC芯片核心技術，已形成系列智能功率集成電路芯片，包括：柵極驅動控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半導體等開關器件的柵極驅動芯片）、電機驅動IC芯片（含半橋、H橋、三相橋）；智能功率IC開關（Smart MOS）和功率驅動控制IC芯片及模塊（DrMOS、IPM等）系列產品在積極研發(fā)中。產品應用市場已涵蓋汽車電子、光伏及儲能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等領域。目前，國硅的智能功率集成電路芯片已經在光伏逆變、光伏儲能、汽車電子和工業(yè)控制等市場成功上量。

公司本次對國硅進行增資并實現(xiàn)控股，構建了集成電路領域發(fā)力平臺，不僅新增了IC系列產品本身，還能與公司既有IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超結MOSFET等芯片集成創(chuàng)新，形成智能功率集成產品。在保持公司既有產品技術持續(xù)創(chuàng)新、領先的同時，又拓展了智能化、集成化的產品系列，提高了公司產品的整體領先性與綜合技術門檻，增強了公司的核心競爭力，進一步滿足高端客戶的創(chuàng)新需求，為終端客戶提供包含IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超結MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模塊等功率半導體芯片的整體解決方案，向打造國內功率半導體第一品牌的目標又前進了一大步。

特此公告。