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[ 浙商證券預計全球光伏逆變器用IGBT市場規(guī)模將以17.6%的增速擴大。 ]

近來，光伏逆變器市場迎來快速發(fā)展。中國光伏行業(yè)協(xié)會表示，到2025年，全球光伏逆變器的新增裝機量有望達到330GW。

光伏逆變器市場的快速發(fā)展也意味著，市場對于IGBT（光伏逆變器核心器件）的需求也在快速增加。

IGBT（全稱Insulate-Gate Bipolar Transistor）也叫絕緣柵雙極型晶體管，是光伏逆變器的核心器件。IGBT模塊占光伏逆變器價值量的15%至20%，不同的光伏電站需要的IGBT產品略有不同，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊，而分部式光伏主要采用IGBT單管或模塊。

機構認為，受益于下游光伏逆變器市場的發(fā)展，IGBT的市場規(guī)模有望突破百億元。

浙商證券分析稱，按照IGBT占組串式逆變器和集中式逆變器BOM成本（物料成本）的18%和15%計算，預計全球光伏逆變器用IGBT市場規(guī)模將以17.6%的增速擴大，到2025年市場規(guī)模將達到102.7億元。

但是，目前IGBT市場正面臨供給嚴重不足的困境。私募公司敦和資管在6月底的報告中指出，2022年全球IGBT的產能可以支撐60GW至70GW的新增光伏裝機量，如果光伏需求超預期，IGBT缺貨的現(xiàn)象將進一步加劇，成為制約光伏裝機的瓶頸。

今年上半年以來，海外IGBT大廠安森美半導體（ON.O）、英飛凌（IFNNY.F）等紛紛傳來消息稱其訂單已經(jīng)飽和，不再承接新訂單。實際上，雖然中國的光伏行業(yè)占到全球八成的產能，但是此前應用于光伏的IGBT用的全部是這些海外廠家的芯片。

IGBT市場的持續(xù)缺貨為國產企業(yè)提供了機遇，今年開始，中國的IGBT企業(yè)開始大量地接到來自光伏側的訂單。

“現(xiàn)在IGBT市場嚴重供不應求，而海外大廠對待擴產的態(tài)度又比較謹慎，產能增量不足以消化供需缺口，這些因素可以說是國產IGBT企業(yè)實現(xiàn)‘進口替代’的‘東風’了。” 一位光伏業(yè)內人士告訴第一財經(jīng)記者，“從去年開始，以陽光電源(114.230, -2.34, -2.01%)（300274.SZ）、固德威(347.000, 3.10, 0.90%)（688390.SH）等為代表的一些下游光伏逆變器廠商積極放量導入國產的IGBT產品，估計今年開始，國產IGBT廠商開始大量接到光伏企業(yè)的訂單了。”

一位處在IGBT產業(yè)鏈下游的光伏逆變器供應商在接受第一財經(jīng)記者采訪時表示：“半導體芯片聽起來好像很高端，實際上在IGBT尤其是單管這塊本身的設計并不復雜。國內企業(yè)隨著‘量’的不斷上升，工藝也比較穩(wěn)定，生產制造環(huán)節(jié)高度自動化，跟外資品牌量產出來的基本上越來越接近了。”

“為什么外資會相應地縮減IGBT單管的產能？因為外資也知道，中國國產的將來一定不比它們差，價格甚至比它們優(yōu)，所以它們沒有競爭力。但是，我們的中國廠商要想完成國產化替代，首先必須要把IGBT模塊、碳化硅這一塊都整齊了才能夠追趕上去。”上述光伏逆變器供應商告訴第一財經(jīng)記者。

目前來看，可能替代英飛凌、安森美半導體、羅姆半導體等海外IGBT大廠的國產IGBT廠商“種子選手”包括，斯達半導(373.000, -3.40, -0.90%)（603290.SH）、士蘭微(45.620, -1.70, -3.59%)（600460.SH）、新潔能(120.800, -6.65, -5.22%)（605111.SH）、華潤微(52.330, -1.49, -2.77%)（688396.SH）、時代電氣(59.880, -3.11, -4.94%)（688187.SH）、聞泰科技(70.830, -2.12, -2.91%)（600745.SH）等。

“國產IGBT產品正在陸續(xù)進入主流逆變器廠商供應名單。”斯達半導此前在投資者平臺公開回復稱，“2021年，公司使用自主IGBT芯片的模塊和分立器件已在國內主流光伏逆變器廠家如陽光電源大批量裝機應用，預計接下來公司的市場份額會持續(xù)增加。”

士蘭微的相關人員表示：“IGBT訂單確實很多，我們已經(jīng)滿產了，現(xiàn)在重點聚焦在高端客戶和高門檻市場。”

華潤微方面也坦言，來自光伏行業(yè)的需求增加明顯，IGBT訂單增速太快，有些做不過來。

此外，國內政策端的重視也是國產IGBT實現(xiàn)進口替代的“東風”之一。

2021年，我國發(fā)布了《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》。綱要明確要求，集中優(yōu)勢資源攻關關鍵元器件零部件和基礎材料等行業(yè)，重點指出需要攻關IGBT和碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體的發(fā)展。