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新能源車的快速增長，風(fēng)光儲需求旺盛，IGBT用量大幅增加。此前，敦和資管發(fā)布報(bào)告指出，目前IGBT市場仍處于緊平衡狀態(tài)，若下半年新能源汽車、光伏等需求超預(yù)期，可能造成IGBT缺貨加劇。

目前全球IGBT前五大玩家為英飛凌、三菱、富士電機(jī)、安森美和賽米控，其中英飛凌在各個(gè)細(xì)分市場中都有較大的領(lǐng)先優(yōu)勢。與此同時(shí)，本土IGBT企業(yè)也在快速進(jìn)步，技術(shù)上逐漸實(shí)現(xiàn)對國外領(lǐng)先企業(yè)的追趕。

2020年以來，新能源汽車、光伏和儲能等領(lǐng)域?qū)τ贗GBT需求呈現(xiàn)高增長，已經(jīng)成為IGBT市場核心驅(qū)動(dòng)力。

IGBT是新能源汽車中的核心元器件。在新能源汽車中的主要應(yīng)用包括電機(jī)控制器、車載充電器（OBC）、車載空調(diào)、以及為新能源汽車充電的直流充電樁中。

汽車電動(dòng)化提升了功率半導(dǎo)體的單車價(jià)值量。根據(jù)Strategy Analytics的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2019年傳統(tǒng)燃油車中功率半導(dǎo)體的價(jià)值量僅為71美元，價(jià)值量較低；而混合動(dòng)力汽車中功率半導(dǎo)體的價(jià)值量提升至425美元，是傳統(tǒng)燃油車的6倍；純電動(dòng)汽車中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量提升至387美元，是傳統(tǒng)燃油車的5.5倍。

IGBT對于新能源車充電樁來說同樣具備價(jià)值，其在充電樁中的成本占比約20%。華安證券指出，目前，普通充電樁市場價(jià)1KW對應(yīng)價(jià)格成本約300元，假設(shè)直流充電樁價(jià)格為45000-60000元，交流充電樁價(jià)格為2000-2500元，預(yù)計(jì)對應(yīng)的充電樁IGBT市場在2022年新增規(guī)模43億元，2025年新增規(guī)模110億元。

國金證券指出，新能源車市場是IGBT的最大增量，預(yù)計(jì)2025年全球新能源車IGBT市場規(guī)模達(dá)383億元、2020~2025年CAGR達(dá)48%，2030年全球新能源車IGBT市場規(guī)模達(dá)765億元，2020~2030年CGAR達(dá)31%。

IGBT是光伏逆變器、儲能逆變器的核心器件。國金證券預(yù)計(jì)2025、2030年光伏&儲能逆變器出貨量達(dá)542、1650GW，市場規(guī)模達(dá)1500、3999億元，對應(yīng)全球光伏&儲能IGBT市場規(guī)模達(dá)108、280億元，2020~2025年CAGR達(dá)30%、2020~2030年CAGR達(dá)25%，行業(yè)增量主要來源于三個(gè)方面：新增需求、替換需求、儲能需求。

中國IGBT供需缺口仍然較大，國產(chǎn)機(jī)會顯著。

從行業(yè)進(jìn)入的角度來看，IGBT行業(yè)的進(jìn)入門檻非常高。整體來看，IGBT行業(yè)的進(jìn)入壁壘有三個(gè)方面，分別為技術(shù)壁壘、市場壁壘以及資金壁壘。IGBT芯片的制造環(huán)節(jié)有著較高的難度，一方面IGBT芯片本身的背面工藝難度較高，另一方面IDM模式自建產(chǎn)能需要非常大的資金投入。IGBT直接決定下游產(chǎn)品性能，客戶的選擇通常較為保守，產(chǎn)品的測試驗(yàn)證周期長，替換成本高。全球IGBT市場目前處于德國、日本和美國企業(yè)壟斷的格局。

IGBT作為功率半導(dǎo)體期間，其技術(shù)迭代速度較慢，周期較長，一代產(chǎn)品的使用時(shí)間非常長，超過十年。因此，雖然國內(nèi)IGBT廠家的起步較晚，但是行業(yè)留給了本土IGBT廠家充足的發(fā)展和追趕的時(shí)間，目前國內(nèi)IGBT廠商技術(shù)進(jìn)步較快，已經(jīng)有產(chǎn)品能大批量滿足下游客戶需求。此外，本土IGBT企業(yè)的服務(wù)更好，能快速響應(yīng)下游客戶的需求，并且產(chǎn)品價(jià)格上相比于外資有一定優(yōu)勢，有利于下游客戶的降本。

根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年中國 IGBT 需求量1.32億只，對應(yīng)IGBT產(chǎn)量為2580萬只，產(chǎn)量自給率為19.5%。目前我國各大晶圓廠均處于擴(kuò)張狀態(tài)，伴隨多條8寸、12寸產(chǎn)線投產(chǎn)，IGBT產(chǎn)量也有進(jìn)一步提升，2024年IGBT自給率有望提升至40%。


上市公司中，東微半導(dǎo)的TGBT是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor (簡稱 Tri-gate IGBT) 器件結(jié)構(gòu)的重大原始創(chuàng)新， 基于此基礎(chǔ)器件專利，具備了趕超目前國際最為先進(jìn)的第七代IGBT芯片的技術(shù)實(shí)力。天龍股份上半年順利開發(fā)了標(biāo)準(zhǔn)化的IGBT功能承載模塊，應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)動(dòng)，并拿到了客戶的項(xiàng)目定點(diǎn)，預(yù)計(jì)明年3月份開始量產(chǎn)，間接供貨給江淮等新能源汽車。華微電子能提供FRD、IGBT、MOS、SBD等產(chǎn)品，已經(jīng)直接或間接給多家新能源知名車企等廠家供貨。

原標(biāo)題：新能源車、風(fēng)光儲需求旺盛，IGBT用量大幅增加，國內(nèi)廠商機(jī)會顯著