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在能源電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的背景下，全球光伏裝機(jī)量持續(xù)攀升，為碳化硅帶來(lái)可觀的市場(chǎng)增量。Yole研報(bào)預(yù)計(jì)，應(yīng)用于光伏發(fā)電及儲(chǔ)能的碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將在2025年達(dá)到3.14億美元，2019—2025年復(fù)合增長(zhǎng)率為17%。同時(shí)，光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對(duì)碳化硅器件性能提出了更高的要求。要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇，碳化硅廠商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。

碳化硅高度契合光伏逆變器演進(jìn)方向

光伏逆變器將光伏面板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電以用于電網(wǎng)，是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件。光伏逆變器的轉(zhuǎn)化效率，直接影響整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率。

寬禁帶半導(dǎo)體的長(zhǎng)處正是更高的能源轉(zhuǎn)化效率，其性能優(yōu)勢(shì)與光伏逆變器的迭代需求有著較高的契合度。華為發(fā)布的智能光伏十大趨勢(shì)顯示，光伏電站向大功率、高可靠性發(fā)展已成為趨勢(shì)。以光伏逆變器為例，直流電壓已經(jīng)由1100V提升到1500V。通過(guò)碳化硅、氮化鎵等新材料的應(yīng)用，以及將數(shù)字技術(shù)與電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)等充分結(jié)合，預(yù)計(jì)未來(lái)5年逆變器的功率密度將再提升50%。

基本半導(dǎo)體工業(yè)業(yè)務(wù)部總監(jiān)楊同禮向記者表示，隨著太陽(yáng)能電池板的尺寸和功率密度逐步增加，傳統(tǒng)的硅基器件已不能滿足光伏逆變器MPPT(最大功率點(diǎn)跟蹤)電路在效率和發(fā)熱方面的需求，各方面性能更優(yōu)越的碳化硅功率器件上場(chǎng)應(yīng)用成為必然趨勢(shì)。“相對(duì)硅器件而言，碳化硅功率器件能為光伏逆變器帶來(lái)更高的轉(zhuǎn)換效率、更低的能量損耗，從而有效縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長(zhǎng)器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本。”

安森美應(yīng)用市場(chǎng)工程師賈鵬也向表示，基于碳化硅的光伏逆變系統(tǒng)能夠在效率、體積和重量上做得更好。寬禁帶材料的優(yōu)異特性允許基于其制造的半導(dǎo)體器件在高頻高溫高壓下工作，高頻意味著更小的電感體積和高頻條件下仍能接受的損耗，高溫意味著更好的散熱能力和更加緊湊的系統(tǒng)布局，高壓則代表著更高的母線電壓，將更大的傳輸功率或更小的由傳輸電流帶來(lái)的線路損耗變?yōu)榭赡堋?br />
對(duì)標(biāo)光伏需求提升多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)

面向光伏逆變器功率更大、效率更高、體積更小、成本更低，以及組串式逆變器配置靈活、易于安裝的發(fā)展方向，碳化硅供應(yīng)商從多個(gè)技術(shù)指標(biāo)入手，持續(xù)提升器件性能。

提升光伏逆變器的最大直流母線電壓，將提升光伏變電站的成本效益，這對(duì)碳化硅功率器件的電壓等級(jí)提出了更高的要求。在1100V的直流系統(tǒng)中，功率級(jí)別一般在8kW—150kW之間，100kW的低功率和中功率系統(tǒng)通常使用1200V和650V開(kāi)關(guān)。當(dāng)光伏逆變器從1100V做到1500V，功率器件的工作電壓也隨之提升。例如安森美的EliteSiC系列（包括碳化硅MOSFET、碳化硅二極管），耐壓范圍為650V-1700V，可以覆蓋目前的1100V和1500V的光伏逆變器系統(tǒng)。其中1700V SiC MOSFET對(duì)應(yīng)1500V直流母線的光伏逆變器產(chǎn)品。

而更高的功率密度，是光伏逆變器主要的升級(jí)方向，也考驗(yàn)著碳化硅器件的綜合性能。比如基本半導(dǎo)體的第二代碳化硅MOSFET在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗以及成本上進(jìn)行了改善，以進(jìn)一步提升客戶端光伏逆變器的功率密度。在碳化硅功率模塊方面，基本半導(dǎo)體推進(jìn)工業(yè)級(jí)碳化硅二極管模塊、MOSFET模塊以及混合模塊的開(kāi)發(fā)，以滿足百千瓦級(jí)別以上更高功率的光伏逆變器的應(yīng)用需求。安徽芯塔電子也在新一代SiC MOSFET提升了器件的功率密度和效率，對(duì)比前一代產(chǎn)品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的抗干擾能力，以更好地滿足光伏儲(chǔ)能對(duì)提升性價(jià)比、改善器件動(dòng)態(tài)特性以及降低開(kāi)關(guān)損耗的需求。

縮小體積以降低成本也是光伏逆變器的演進(jìn)趨勢(shì)，尤其體現(xiàn)在微型逆變器和組串式逆變器上，碳化硅器件也需要做得更加緊湊并解決由此帶來(lái)的散熱問(wèn)題。安森美推出了首款TOLL封裝650V SiC MOSFET，適配小尺寸高功率密度的產(chǎn)品，TOLL封裝的尺寸僅為9.9mm×11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%，同時(shí)具有更好的散熱和寄生電感。

此外，組串式逆變器模塊化、靈活可配置的特點(diǎn)，也需要碳化硅廠商提供更加靈活便捷的解決方案。英飛凌面向組串式逆變器的需求，推出了由950V IGBT7和1200V碳化硅二極管構(gòu)成的MPPT模塊，采用了PressFIT壓接技術(shù)以降低安裝難度，并基于Easy模塊技術(shù)，讓客戶可以在不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電壓等級(jí)、封裝和技術(shù)之間進(jìn)行選擇。

抓住市場(chǎng)增量考驗(yàn)廠商綜合能力

要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇，碳化硅廠商需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。

“由于光伏逆變器所處的戶外環(huán)境比較惡劣，以及運(yùn)行周期長(zhǎng)等原因，行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的可靠性等綜合性能的要求更加嚴(yán)苛，加之光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，客戶不斷追求性價(jià)比，非?？简?yàn)碳化硅企業(yè)的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。”楊同禮說(shuō)。

賈鵬也向記者指出，碳化硅是世界上第三硬的復(fù)合材料，且非常易碎，因此要注重碳化硅制備過(guò)程中的良率和質(zhì)量。

“隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟和降本，大部分光伏逆變器中的超結(jié)MOSFET和IGBT會(huì)被替代，這對(duì)于整條碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的市場(chǎng)。然而，在擴(kuò)大量產(chǎn)能力的同時(shí)保持良率和質(zhì)量對(duì)于任何一家半導(dǎo)體公司都是一種挑戰(zhàn)，因此半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)持續(xù)投資建廠或與龍頭客戶簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。如安森美等提供從晶圓到方案的碳化硅供應(yīng)商，除了做好生產(chǎn)供應(yīng)之外，還需要和客戶一起研究實(shí)際應(yīng)用中碰到的問(wèn)題，比如碳化硅替代后的散熱方案以及高頻工作帶來(lái)的其它干擾等等。”賈鵬說(shuō)。

同樣值得注意的是，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)能還未大規(guī)模釋放，在布局光伏的過(guò)程中，要注重與本地產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)作，利用好貼近市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。

安徽芯塔電子科技有限公司市場(chǎng)經(jīng)理周駿峰向表示，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈都在積極擴(kuò)產(chǎn)，但產(chǎn)能等方面與國(guó)際巨頭尚有差距。國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)要依靠國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的合作與深度協(xié)同，才能更好地與國(guó)際巨頭競(jìng)爭(zhēng)。例如，芯塔電子的SiC MOSFET產(chǎn)品未來(lái)會(huì)朝著15V驅(qū)動(dòng)迭代，因?yàn)閲?guó)內(nèi)驅(qū)動(dòng)芯片廠商大多供應(yīng)15V的驅(qū)動(dòng)芯片，配套容易，使客戶可以充分利用 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。

“基于對(duì)客戶終端應(yīng)用的深刻理解，提前挖掘終端應(yīng)用藍(lán)海市場(chǎng)，精準(zhǔn)定義新產(chǎn)品，率先開(kāi)發(fā)出有特色的功率器件和模塊，才能確保早期藍(lán)海市場(chǎng)的紅利。”周駿峰說(shuō)。

原標(biāo)題：碳化硅“備戰(zhàn)”光伏市場(chǎng)