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Keihin Ramtech"RAMFORCE"濺射技術(shù)將徹底改變鈣鈦礦太陽能電池業(yè)
日期:2023-04-25   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sy_chenglingyan 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
日本橫濱2023年4月24日-- KEIHIN RAMTECH Co., Ltd.將參加在華盛頓特區(qū)舉行的SVC TechCon 2023。

低損傷RAM陰極

作為對抗全球變暖擔(dān)憂的一部分,不依賴化石燃料的能源成為此次會議的主要話題。此外,人們對太陽能電池也有很高期待。引起特別關(guān)注的鈣鈦礦太陽能電池(PSC)在市場上需求特別高,成為新一代太陽能電池。鈣鈦礦是電池中非常精細(xì)的有機(jī)層組成的結(jié)構(gòu),而使用干燥濺射法的傳統(tǒng)技術(shù)在沉積時會損壞透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜,導(dǎo)致有機(jī)層降解,從而無法實現(xiàn)所需的設(shè)備性能。對于透明導(dǎo)電氧化物來說,很難利用濺射沉積法。

RAM FORCE濺射的優(yōu)點

改進(jìn)了鈣鈦礦太陽能電池的濺射沉積特性

RAM FORCE結(jié)構(gòu)獨特,通過四面對向靶材和磁場布置實現(xiàn)了低損傷沉積,在PSC上進(jìn)行TCO沉積,與平面濺射設(shè)備相比,作為損傷指標(biāo)的載體壽命提高了約30%。因此利用其低損傷性實現(xiàn)了低損傷沉積。通過利用低損傷的濺射特性,PSC代表電池特性的曲線因子——填充因子(FF)達(dá)到75%以上。它已經(jīng)開始用于研發(fā)應(yīng)用和試點線路。

低溫濺射沉積技術(shù)的實現(xiàn)

RAM FORCE支持低于60℃(ITO: 100 nm)的低溫沉積,因此適用于柔性基材上的濺射沉積。

RAM FORCE的未來發(fā)展

RAMTECH還專注于其他應(yīng)用。對于PSC的空穴輸運層(HTL),可以使用NiOx層代替目前使用的Spiro-OmetaD等有機(jī)層,實現(xiàn)低損傷濺射沉積和低電阻。此外,通過改變沉積工藝條件,NiOx也可以作為電子傳遞層(ETL)沉積,使使用相同的材料實現(xiàn)HTL和ETL沉積成為可能,從而提高性能,降低成本。 

原標(biāo)題:Keihin Ramtech"RAMFORCE"濺射技術(shù)將徹底改變鈣鈦礦太陽能電池業(yè)
 
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來源:美通社
 
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