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美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團隊開發(fā)出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMD）材料層，以實現(xiàn)更密集的集成。這項技術(shù)可能會讓芯片密度更高、功能更強大。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。




原標題：芯片上“長”出原子級薄晶體管