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iDEAL推出SuperQ?技術(shù) 開創(chuàng)硅功率器件性能新時代
日期:2023-05-17   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sy_chenglingyan 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
iDEAL Semiconductor推出SuperQ™技術(shù),開創(chuàng)硅功率器件性能新時代

該技術(shù)突破了限制硅技術(shù)發(fā)展的障礙,為客戶提供了效率更高、體積更小、成本更低的產(chǎn)品

賓夕法尼亞州利哈伊谷2023年5月16日/美通社/ --專注于提供突破性電源效率的無晶圓廠半導(dǎo)體公司iDEAL Semiconductor今天宣布其專利的SuperQ技術(shù)全面上市。 SuperQ可在許多應(yīng)用中減少功率損耗,包括數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能電池板、電機驅(qū)動、醫(yī)療設(shè)備和白色家電。其更高的效率減少了碳足跡,以實現(xiàn)更可持續(xù)的未來。

iDEAL的工程師和科學(xué)家改造了功率器件架構(gòu),在性能上實現(xiàn)了階梯式提升。該技術(shù)基于占全球半導(dǎo)體制造能力95%的硅,并與未來的功率半導(dǎo)體材料向前兼容。

在過去20年中,基本功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新有限,硅功率器件的性能已經(jīng)趨于穩(wěn)定。進(jìn)一步提高性能的嘗試集中在材料方面,而不是擴(kuò)大硅的極限。通過原子級的科學(xué)研究和工程設(shè)計,iDEAL Semiconductor創(chuàng)造了一種新穎的架構(gòu),設(shè)定了性能的下一個前沿,并推翻了該行業(yè)已經(jīng)走到硅進(jìn)步之路盡頭的觀點。

iDEAL Semiconductor首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Mark Granahan說:"iDEAL Semiconductor是為數(shù)不多的專注于制造功率器件工藝和架構(gòu)的公司之一。我們對硅的改進(jìn)可以與其他材料提供的改進(jìn)相媲美,但具有硅的可制造性、可用性和可靠性。通過在美國與應(yīng)用材料公司(Applied Materials)和Polar Semiconductor的合作,我們實現(xiàn)了以前難以想象的性能提升。不論材料如何,我們解決了對功率器件日益增長的需求。隨著當(dāng)前全球?qū)ΩG色未來的推動,我們非常興奮能在讓產(chǎn)品更具可持續(xù)性方面發(fā)揮作用,同時也展示了對美國半導(dǎo)體行業(yè)的投資可以實現(xiàn)的成就。"

通過原子水平的科學(xué)和工程實現(xiàn),SuperQ提供了創(chuàng)紀(jì)錄的單位面積電阻(RSP)。該技術(shù)最初針對高達(dá)850伏(V)的電壓,為系統(tǒng)工程師提供改進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,例如二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和集成電路(IC)。例如,基于SuperQ的200V MOSFET的電阻比現(xiàn)有硅低6倍,比氮化鎵低1.6倍。采用SuperQ技術(shù)設(shè)計的電機驅(qū)動逆變器可節(jié)省高達(dá)50%的功率損耗。該技術(shù)是使用最先進(jìn)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)設(shè)備制造的。

此次發(fā)布是在C輪融資之后進(jìn)行的,使總投資超過了7500萬美元。iDEAL的投資者是總部位于美國的高凈值家族辦公室和成功企業(yè)家,他們對發(fā)展美國國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)興趣濃厚。利用這筆資金,iDEAL Semiconductor正在積極擴(kuò)大其招聘、產(chǎn)品擴(kuò)散和美國制造能力。 

原標(biāo)題:iDEAL推出SuperQ™技術(shù) 開創(chuàng)硅功率器件性能新時代
 
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來源:美通社
 
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