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1. TOPCon與PERC電池成本對比（以LPCVD路線為例）

目前TOPCon電池成本較PERC高出約0.01元/W，考慮硅片薄片化進度、電池 導電銀漿成本降低及良率提升，以及高功率組件攤薄非硅成本降本空間，一體化下 成本有望率先與PERC打平。為量化TOPCon降本進程，我們按照PERC/TOPCon 電池平均量產(chǎn)轉換效率分別為23.2%/25%進行成本測算。

電池環(huán)節(jié)

（1）硅片成本：N型硅片是通過摻雜磷元素制成，由于磷原子與硅相溶性較 差，因此對硅料、輔材的純度及生產(chǎn)過程控制要求更高，成本更高，較P型硅片存在 一定溢價。但隨著N型硅片規(guī)?；a(chǎn)及技術進步，疊加薄片化進程加速，N型硅片 溢價有望逐步縮小。根據(jù)TCL中環(huán)23年5月11日硅片報價，182尺寸N型硅片較P型存 在1.8%溢價，較2022年6月8.1%的溢價已出現(xiàn)大幅下降。

根據(jù)CPIA，2022年 TOPCon/PERC硅片的平均厚度分別為140μm、155μm，預計2025年有望分別減薄 至120μm、140μm。根據(jù)我們測算，截至23年5月11日P型182電池硅片全成本0.48 元/W，TOPCon硅片全成本0.44元/W；若轉換效率達25%、良率提高至99%，TOPCon 電池單瓦硅成本有望與PERC持平。

（2）非硅成本：根據(jù)我們測算，目前TOPCon非硅成本為0.21元/W，相較PERC 高出0.05元/W，主要銀漿增加約0.025元/W，設備增加帶來折舊增加約0.005元/W， 能耗增加約0.006元/W，良率及耗材增加0.014元/W，具體降本路徑如下：

①銀漿：由于TOPCon電池的發(fā)射極需增加銀漿用量才可達到適合規(guī)?；瘧?的電學性能，同時TOPCon電池正反面均需要使用銀漿，因此單片TOPCon電池的 銀漿耗量大幅提升。根據(jù)CPIA統(tǒng)計，2022年P型電池正銀耗量約65mg/片，背銀約 26mg/片；TOPCon電池雙面銀漿（95%銀，正面主柵使用銀漿，細柵使用銀鋁漿） 平均消耗量約 115mg/ 片，且由于TOPCon銀漿價格目前仍高于PERC銀漿，測算 得到TOPCon電池銀漿成本高出約0.025元/W。

未來隨著TOPCon高溫銀漿規(guī)模生產(chǎn)，采購溢價將逐步縮小；SMBB、無主柵及激光轉印等技術升級推動單片電池銀漿耗 量下降，單片電池銀漿成本有望下降。此外，電池轉換效率的提高將攤薄銀漿單瓦 成本。

②折舊：由于TOPCon增加硼擴、隧穿氧化及多晶硅層沉積設備，當下新建 LPCVD產(chǎn)線設備投資額為0.17元/W，對應折舊成本增加約0.017元/W，未來仍可通 過關鍵零部件國產(chǎn)化等方式進一步降低。

③能耗：由于TOPCon摻雜元素由磷變?yōu)榕?，需要在高達900-1100攝氏度高溫 擴散或進行二次摻雜，導致能耗成本增加約0.006元/W，可通過激光摻雜進行降低能 耗，同時提升效率。

④良率及耗材：LPCVD路線成熟度較高，但容易產(chǎn)生繞鍍問題，清洗時導致 良率降低，目前平均量產(chǎn)良率約98%，較PERC良率99%仍有差距，良率損失導致 非硅成本增加約0.006元/W，同時，LPCVD容易導致石英管炸裂，每15天需對石英 管進行一次清洗，石英耗材成本增加約0.008元/W。

組件環(huán)節(jié)：TOPCon組件能夠與多主柵、半片、疊瓦等技術匹配，實現(xiàn)更高輸 出功率，以晶科能源推出的TOPCon組件Tiger Neo為例，其選擇182尺寸硅片，結 合多主柵以及半片技術降低內阻損耗，并采用圓絲焊帶、高反光貼附材料等獲得更 好發(fā)電增幅，雙面率最高達85%以上，性能、功率、能量密度和可靠性全面增強， 量產(chǎn)輸出功率最高達625W（182-78P），較相同封裝方案下的PERC組件高出約30W， 有效攤薄組件環(huán)節(jié)非硅成本。

根據(jù)我們測算，盡管TOPCon組件出于更高阻水性要 求，傾向使用POE膠膜，在相同封裝版型方案下，當TOPCon組件輸出功率分別高 出PERC組件25W、50W、75W時，其非硅成本較PERC降低約0.01元/W、0.036元 /W、0.048元/W。

2. TOPCon 與 PERC 電池溢價對比（以 LPCVD 路線為例）

采用激光技術摻雜形成SE可提升TOPCon電池效率約0.2-0.3%。選擇性發(fā)射極 （Selective emitter，SE）結構是提高晶硅電池轉換效率的重要方式，該結構特點是 在接受光照的區(qū)域淺擴散形成低摻雜區(qū)，在金屬電極下形成高摻雜區(qū)域，從而使得 表面少子復合減少，金屬電極與發(fā)射極之間形成良好歐姆接觸，從而獲得更高短路 電流、開路電壓和填充因子，從而提高轉換效率，激光摻雜（laser doping，LD）可 在常溫常壓下形成SE結構，改善由高溫導致的硅片表面損失。TOPCon激光硼摻雜 技術是通過沉積或印刷硼摻雜源，在激光背面開槽過程中同步形成激光重摻雜區(qū)， 降低背面接觸復合速率及背面硅鋁接觸電阻，提升太陽電池開路電壓Voc和填充因子 FF，將轉換效率0.5%。根據(jù)帝爾激光《2023年1月2日-2023年1月4日投資者關系活 動記錄表》，其通過激光工藝提升TOPCon轉換效率約0.2-0.3%。

TOPCon組件兼?zhèn)涓唠p面率、低溫度系數(shù)和低衰減等優(yōu)勢，賦予性能溢價。根 據(jù)坎德拉具體項目案例，TOPCon組件與PERC相比，由于高雙面率（85%）、低溫 度系數(shù)（-0.25%/℃）、高轉換效率（22%以上）、低衰減率（-0.4%/年）等優(yōu)勢， 全生命周期的發(fā)電增益達3%以上，同時能夠使系統(tǒng)BOS成本有所下降。

由于在 LCOE或IRR相同時，組件溢價空間主要取決于發(fā)電量的提升及系統(tǒng)成本的下降程度， 坎德拉以P型PERC組件為測算基準，在相同IRR時，測算N型TOPcon組件發(fā)電量增 益及系統(tǒng)成本下降所帶來的溢價能力。發(fā)電量提升帶來的溢價空間：在IRR相同條件下，當TOPCon組件相較PERC組 件發(fā)電增益分別為2.55%、4%時，其溢價空間分別為0.12元/W、0.175元/W。TOPcon 組件首年發(fā)電小時數(shù)與PERC組件增益2.55%，其溢價空間為0.12元/W。當?shù)孛娣?射率增加至40%，發(fā)電增益為4%時，溢價空間為0.175元/W。

BOS節(jié)約帶來的溢價空間：由于N型組件轉換效率更高，從而在單位面積下的 輸出功率較高，因此在土地面積和組件數(shù)量相同的情況下，系統(tǒng)裝機容量更大。但 由于組件電性能參數(shù)不同、組件串聯(lián)數(shù)不同，使得支架、電纜成本仍有差異。組件 并聯(lián)數(shù)的差異影響匯流箱成本，組件數(shù)量的差異則會影響土安裝面積和人工安裝成 本。根據(jù)測算，N型TOPcon在BOS方面節(jié)約成本為0.0174元/W。

原標題：TOPCon與PERC成本及溢價對比