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N型光伏電池主要包括TOPCon、HJT和IBC三種技術(shù)路線，未來三種技術(shù)路線的進(jìn)一步結(jié)合與升級(jí)將形成下一代N型電池技術(shù)，例如：IBC與TOPCon繼續(xù)結(jié)合將形成TBC技術(shù)，IBC與HJT繼續(xù)結(jié)合將形成HBC技術(shù)。通過對(duì)TOPCon、HJT和IBC三種路線對(duì)比分析可知：

①?gòu)纳a(chǎn)工藝難度：IBC>TOPCon>HJT，HJT電池工藝最簡(jiǎn)單，核心工藝僅需要4步；

②轉(zhuǎn)換效率：TOPCon>HJT>IBC，目前HJT的量產(chǎn)最高效率已經(jīng)達(dá)到25.2%，TOPCon量產(chǎn)最高效率達(dá)25.62%，IBC量產(chǎn)最高效率為25%；

③從投資成本：HJT>IBC>TOPCon，根據(jù)CPIA，22年P(guān)ERC和TOPCon產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，當(dāng)前PERC單GW設(shè)備投資在1.2億元左右，TOPCon投資約1.6-1.9億元左右，HJT投資額在3.6億元左右，IBC設(shè)備投資額則在3億元左右；

④生產(chǎn)設(shè)備兼容性：TOPCon>IBC>HJT，TOPCon電池兼容性最高，可以從原有PERC產(chǎn)線轉(zhuǎn)換，HJT電池完全不兼容現(xiàn)有設(shè)備；

⑤從產(chǎn)能規(guī)劃：TOPCon>HJT>IBC，根據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，2023年TOPCon電池產(chǎn)能將集中落地，預(yù)計(jì)23年年底TOPCon電池產(chǎn)能達(dá)249GW，占N型電池總產(chǎn)能的73.7%；HJT電池產(chǎn)能達(dá)55GW，占比16.3%；IBC電池產(chǎn)能達(dá)33.75GW，占比10.0%。

TOPCon較當(dāng)下PERC、未來HJT優(yōu)勢(shì)明顯，率先實(shí)現(xiàn)商業(yè)化大規(guī)模量產(chǎn)。常規(guī)鋁背板BSF電池(1代)→PERC電池(2代)→PERC+電池(2.5代)→HJT電池(3代)→IBC電池(4代)，目前處于2.5代向第3代電池過渡的階段。PERC、PERC+、TOPCon屬于一脈相承，均起源于BSF電池。而HJT異質(zhì)結(jié)電池屬于另起爐灶，為一種全新的電池結(jié)構(gòu)。技術(shù)路線的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)質(zhì)上是效率和成本的競(jìng)爭(zhēng)，雖然HJT憑借較高的轉(zhuǎn)換效率獲得了產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注和持續(xù)投入，但當(dāng)前HJT未顯示出明顯優(yōu)于TOPCon的性價(jià)比。當(dāng)下PERC電池效率與降本天花板已至，HJT規(guī)模量產(chǎn)尚待驗(yàn)證，布局TOPCon成為目前主流光伏電池廠商的最優(yōu)選擇，TOPCon率先實(shí)現(xiàn)商業(yè)化大規(guī)模量產(chǎn)。

與PERC對(duì)比：TOPCon降本路線清晰，較PERC溢價(jià)明顯

1.TOPCon與PERC電池成本對(duì)比（以LPCVD路線為例）

目前TOPCon電池成本較PERC高出約0.01元/W，考慮硅片薄片化進(jìn)度、電池導(dǎo)電銀漿成本降低及良率提升，以及高功率組件攤薄非硅成本降本空間，一體化下成本有望率先與PERC打平。為量化TOPCon降本進(jìn)程，我們按照PERC/TOPCon電池平均量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率分別為23.2%/25%進(jìn)行成本測(cè)算。

電池環(huán)節(jié)

（1）硅片成本：N型硅片是通過摻雜磷元素制成，由于磷原子與硅相溶性較差，因此對(duì)硅料、輔材的純度及生產(chǎn)過程控制要求更高，成本更高，較P型硅片存在一定溢價(jià)。但隨著N型硅片規(guī)?；a(chǎn)及技術(shù)進(jìn)步，疊加薄片化進(jìn)程加速，N型硅片溢價(jià)有望逐步縮小。根據(jù)TCL中環(huán)23年5月11日硅片報(bào)價(jià)，182尺寸N型硅片較P型存在1.8%溢價(jià)，較2022年6月8.1%的溢價(jià)已出現(xiàn)大幅下降。根據(jù)CPIA，2022年TOPCon/PERC硅片的平均厚度分別為140μm、155μm，預(yù)計(jì)2025年有望分別減薄至120μm、140μm。根據(jù)我們測(cè)算，截至23年5月11日P型182電池硅片全成本0.48元/W，TOPCon硅片全成本0.44元/W；若轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%、良率提高至99%，TOPCon電池單瓦硅成本有望與PERC持平。

（2）非硅成本：根據(jù)我們測(cè)算，目前TOPCon非硅成本為0.21元/W，相較PERC高出0.05元/W，主要銀漿增加約0.025元/W，設(shè)備增加帶來折舊增加約0.005元/W，能耗增加約0.006元/W，良率及耗材增加0.014元/W，具體降本路徑如下：

①銀漿：由于TOPCon電池的發(fā)射極需增加銀漿用量才可達(dá)到適合規(guī)?；瘧?yīng)用的電學(xué)性能，同時(shí)TOPCon電池正反面均需要使用銀漿，因此單片TOPCon電池的銀漿耗量大幅提升。根據(jù)CPIA統(tǒng)計(jì)，2022年P(guān)型電池正銀耗量約65mg/片，背銀約26mg/片；TOPCon電池雙面銀漿（95%銀，正面主柵使用銀漿，細(xì)柵使用銀鋁漿）平均消耗量約115mg/片，且由于TOPCon銀漿價(jià)格目前仍高于PERC銀漿，測(cè)算得到TOPCon電池銀漿成本高出約0.025元/W。未來隨著TOPCon高溫銀漿規(guī)模生產(chǎn)，采購(gòu)溢價(jià)將逐步縮??；SMBB、無(wú)主柵及激光轉(zhuǎn)印等技術(shù)升級(jí)推動(dòng)單片電池銀漿耗量下降，單片電池銀漿成本有望下降。此外，電池轉(zhuǎn)換效率的提高將攤薄銀漿單瓦成本。

②折舊：由于TOPCon增加硼擴(kuò)、隧穿氧化及多晶硅層沉積設(shè)備，當(dāng)下新建LPCVD產(chǎn)線設(shè)備投資額為0.17元/W，對(duì)應(yīng)折舊成本增加約0.017元/W，未來仍可通過關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)化等方式進(jìn)一步降低。

③能耗：由于TOPCon摻雜元素由磷變?yōu)榕?，需要在高達(dá)900-1100攝氏度高溫?cái)U(kuò)散或進(jìn)行二次摻雜，導(dǎo)致能耗成本增加約0.006元/W，可通過激光摻雜進(jìn)行降低能耗，同時(shí)提升效率。

④良率及耗材：LPCVD路線成熟度較高，但容易產(chǎn)生繞鍍問題，清洗時(shí)導(dǎo)致良率降低，目前平均量產(chǎn)良率約98%，較PERC良率99%仍有差距，良率損失導(dǎo)致非硅成本增加約0.006元/W，同時(shí)，LPCVD容易導(dǎo)致石英管炸裂，每15天需對(duì)石英管進(jìn)行一次清洗，石英耗材成本增加約0.008元/W。

組件環(huán)節(jié)

TOPCon組件能夠與多主柵、半片、疊瓦等技術(shù)匹配，實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，以晶科能源推出的TOPCon組件TigerNeo為例，其選擇182尺寸硅片，結(jié)合多主柵以及半片技術(shù)降低內(nèi)阻損耗，并采用圓絲焊帶、高反光貼附材料等獲得更好發(fā)電增幅，雙面率最高達(dá)85%以上，性能、功率、能量密度和可靠性全面增強(qiáng)，量產(chǎn)輸出功率最高達(dá)625W（182-78P），較相同封裝方案下的PERC組件高出約30W，有效攤薄組件環(huán)節(jié)非硅成本。根據(jù)我們測(cè)算，盡管TOPCon組件出于更高阻水性要求，傾向使用POE膠膜，在相同封裝版型方案下，當(dāng)TOPCon組件輸出功率分別高出PERC組件25W、50W、75W時(shí)，其非硅成本較PERC降低約0.01元/W、0.036元/W、0.048元/W。

2.TOPCon與PERC電池溢價(jià)對(duì)比（以LPCVD路線為例）

采用激光技術(shù)摻雜形成SE可提升TOPCon電池效率約0.2-0.3%。選擇性發(fā)射極（Selectiveemitter，SE）結(jié)構(gòu)是提高晶硅電池轉(zhuǎn)換效率的重要方式，該結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是在接受光照的區(qū)域淺擴(kuò)散形成低摻雜區(qū)，在金屬電極下形成高摻雜區(qū)域，從而使得表面少子復(fù)合減少，金屬電極與發(fā)射極之間形成良好歐姆接觸，從而獲得更高短路電流、開路電壓和填充因子，從而提高轉(zhuǎn)換效率，激光摻雜（laserdoping，LD）可在常溫常壓下形成SE結(jié)構(gòu)，改善由高溫導(dǎo)致的硅片表面損失。TOPCon激光硼摻雜技術(shù)是通過沉積或印刷硼摻雜源，在激光背面開槽過程中同步形成激光重?fù)诫s區(qū)，降低背面接觸復(fù)合速率及背面硅鋁接觸電阻，提升太陽(yáng)電池開路電壓Voc和填充因子FF，將轉(zhuǎn)換效率0.5%。根據(jù)帝爾激光《2023年1月2日-2023年1月4日投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表》，其通過激光工藝提升TOPCon轉(zhuǎn)換效率約0.2-0.3%。

TOPCon組件兼?zhèn)涓唠p面率、低溫度系數(shù)和低衰減等優(yōu)勢(shì)，賦予性能溢價(jià)。根據(jù)坎德拉具體項(xiàng)目案例，TOPCon組件與PERC相比，由于高雙面率（85%）、低溫度系數(shù)（-0.25%/℃）、高轉(zhuǎn)換效率（22%以上）、低衰減率（-0.4%/年）等優(yōu)勢(shì)，全生命周期的發(fā)電增益達(dá)3%以上，同時(shí)能夠使系統(tǒng)BOS成本有所下降。由于在LCOE或IRR相同時(shí)，組件溢價(jià)空間主要取決于發(fā)電量的提升及系統(tǒng)成本的下降程度，坎德拉以P型PERC組件為測(cè)算基準(zhǔn)，在相同IRR時(shí)，測(cè)算N型TOPcon組件發(fā)電量增益及系統(tǒng)成本下降所帶來的溢價(jià)能力。發(fā)電量提升帶來的溢價(jià)空間：在IRR相同條件下，當(dāng)TOPCon組件相較PERC組件發(fā)電增益分別為2.55%、4%時(shí)，其溢價(jià)空間分別為0.12元/W、0.175元/W。TOPcon組件首年發(fā)電小時(shí)數(shù)與PERC組件增益2.55%，其溢價(jià)空間為0.12元/W。當(dāng)?shù)孛娣瓷渎试黾又?0%，發(fā)電增益為4%時(shí)，溢價(jià)空間為0.175元/W。

BOS節(jié)約帶來的溢價(jià)空間：由于N型組件轉(zhuǎn)換效率更高，從而在單位面積下的輸出功率較高，因此在土地面積和組件數(shù)量相同的情況下，系統(tǒng)裝機(jī)容量更大。但由于組件電性能參數(shù)不同、組件串聯(lián)數(shù)不同，使得支架、電纜成本仍有差異。組件并聯(lián)數(shù)的差異影響匯流箱成本，組件數(shù)量的差異則會(huì)影響土安裝面積和人工安裝成本。根據(jù)測(cè)算，N型TOPcon在BOS方面節(jié)約成本為0.0174元/W。

3.TOPCon較PERC招標(biāo)溢價(jià)情況

央企國(guó)企招標(biāo)新貴，N型組件需求潮起。根據(jù)坎德拉在海南地面電站應(yīng)用場(chǎng)景的仿真測(cè)算結(jié)果顯示，在光資源較好、地表反射率較高的應(yīng)用場(chǎng)景，在保持IRR相同時(shí)，與P型PERC組件相比，N型TOPcon組件的綜合溢價(jià)空間為0.14-0.195元/W。23年以來，國(guó)家電投、中核匯能等國(guó)企組件招標(biāo)中N型組件占比已提升至30%-40%。 根據(jù)SMM數(shù)據(jù)，23年4月以來P型組件中標(biāo)價(jià)處于1.63-1.73元/W區(qū)間內(nèi)，N型組件中標(biāo)價(jià)處于1.70-1.90元/W區(qū)間內(nèi)，與P型相比，當(dāng)前實(shí)際招標(biāo)中國(guó)內(nèi)N型組件已存在約0.04-0.10元/W溢價(jià)，率先投產(chǎn)的TOPCon廠商充分享受N型溢價(jià)紅利。

TOPCon投產(chǎn)不及預(yù)期，先行者景氣紅利延長(zhǎng)

22年TOPCon尚處規(guī)模量產(chǎn)初期，廠商投產(chǎn)略有遲疑。在TOPCon的發(fā)展歷程中，2020-2022年雖然有多家廠商宣布N型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，但實(shí)際落地進(jìn)度緩慢，22年已投產(chǎn)TOPCon電池產(chǎn)能在8GW以上的僅晶科能源（24GW）與鈞達(dá)股份（8GW）兩家。在22年1月8日晶科能源率先實(shí)現(xiàn)TOPCon電池8GW規(guī)模量產(chǎn)并成功驗(yàn)證TOPCon電池高溢價(jià)紅利后，行業(yè)N型電池的投產(chǎn)進(jìn)度才開始加快。與國(guó)內(nèi)PERC規(guī)模投產(chǎn)前已經(jīng)過歐洲長(zhǎng)達(dá)2年的量產(chǎn)驗(yàn)證不同，自晶科GW級(jí)規(guī)模量產(chǎn)以來，TOPCon電池僅經(jīng)歷約1年半的行業(yè)量產(chǎn)驗(yàn)證，尚處于產(chǎn)業(yè)化初期。同時(shí)，由于TOPCon較PERC工藝增加了多道工序，工藝難度和技術(shù)門檻較PERC提升明顯，行業(yè)降本潛力巨大，產(chǎn)業(yè)步入成熟期（光伏電池產(chǎn)品出現(xiàn)明顯同質(zhì)化趨勢(shì)）的周期將進(jìn)一步拉長(zhǎng)。我們預(yù)計(jì)TOPCon電池到達(dá)成熟期仍需1－2年時(shí)間，先行者將在TOPCon產(chǎn)業(yè)化初期持續(xù)享受景氣紅利。

當(dāng)前TOPCon滲透率仍處低位，未來提升空間較大。根據(jù)集邦咨詢及業(yè)內(nèi)數(shù)據(jù)，22年全球已投產(chǎn)TOPCon電池產(chǎn)能約81GW，截至23年4月國(guó)內(nèi)電池/一體化組件廠商已投產(chǎn)TOPCon產(chǎn)能119.45GW，在建產(chǎn)能434.7GW，規(guī)劃產(chǎn)能376GW，當(dāng)前已投產(chǎn)TOPCon產(chǎn)能約占23年光伏電池片總產(chǎn)能的24.38%，滲透率仍處于低位，未來提升空間較大。

晶科、鈞達(dá)投產(chǎn)規(guī)模行業(yè)領(lǐng)先，投產(chǎn)速度位居前列。投產(chǎn)規(guī)模方面，根據(jù)我們統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，在已宣布進(jìn)軍TOPCon電池的國(guó)內(nèi)主流廠商中，晶科能源TOPCon電池23Q1-24Q1各季度已投產(chǎn)產(chǎn)能將始終處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。同時(shí)，按照鈞達(dá)股份目前公布的TOPCon投產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計(jì)23Q2鈞達(dá)TOPCon產(chǎn)能將達(dá)到24.5GW，超過天合光能與晶科并列為已投產(chǎn)TOPCon產(chǎn)能第一梯隊(duì)。投產(chǎn)速度方面，由于當(dāng)前以晶科能源為代表的廠商已積累豐富的TOPCon產(chǎn)線調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)線滿產(chǎn)調(diào)試時(shí)間降至7天/條。以5GW共10條產(chǎn)線TOPCon電池項(xiàng)目為例，從建成到全部滿產(chǎn)晶科能源約需70天，行業(yè)可比TOPCon產(chǎn)線約需60-90天，LP路線頭部廠商滿產(chǎn)調(diào)試時(shí)間貼近行業(yè)區(qū)間下限，投產(chǎn)速度位于行業(yè)前列。

TOPCon電池投產(chǎn)不及預(yù)期，先入者景氣紅利延長(zhǎng)。當(dāng)前TOPCon電池整體仍處于供不應(yīng)求狀態(tài)，且根據(jù)業(yè)內(nèi)消息，23年6月LPCVD和PECVD產(chǎn)線爬坡調(diào)試均不順利，產(chǎn)量集中落地節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)延緩至23Q4；同時(shí)，根據(jù)我們不完全統(tǒng)計(jì)，TOPCon投產(chǎn)進(jìn)度快于此前公告的有晶科、鈞達(dá)、仕凈等少數(shù)廠商，行業(yè)整體投產(chǎn)進(jìn)度較慢，部分廠商投產(chǎn)進(jìn)展不及預(yù)期。晶科、鈞達(dá)TOPCon電池率先規(guī)模量產(chǎn)，有望憑借產(chǎn)能和良率優(yōu)勢(shì)搶占TOPCon市場(chǎng)，充分享受TOPCon環(huán)節(jié)景氣紅利，超額收益明顯。根據(jù)我們測(cè)算，當(dāng)前TOPConLP路線頭部廠商（晶科、鈞達(dá)、仕凈）凈利0.06-0.07元/W，二三線廠商凈利0.03-0.05元/W，頭部廠商較二、三線廠商超額盈利0.03-0.04元/W，TOPCon投產(chǎn)不及預(yù)期或?qū)?dǎo)致先入者超額盈利紅利期延長(zhǎng)至23Q4。

工藝壁壘：先入局者已建立工藝壁壘優(yōu)勢(shì)，新玩家難以彎道超車

當(dāng)前TOPCon生產(chǎn)設(shè)備已基本完成國(guó)產(chǎn)化，國(guó)內(nèi)各供應(yīng)商設(shè)備性能、參數(shù)等差異化相對(duì)較小，TOPCon電池先入局者與新玩家在生產(chǎn)設(shè)備端并不存在顯著的代際差距，工藝經(jīng)驗(yàn)成為TOPCon電池行業(yè)壁壘之一。

TOPCon電池已形成工藝壁壘，新玩家難以彎道超車。

由于TOPCon電池生產(chǎn)過程中通常需要經(jīng)過多達(dá)11步工序，改變?nèi)我夤ば虻脑O(shè)備使用時(shí)長(zhǎng)、反應(yīng)物濃度等參數(shù)都可能對(duì)TOPCon電池的性能產(chǎn)生不確定影響。

雖然生產(chǎn)過程中潛在的優(yōu)化方案較多，但生產(chǎn)工藝的改變“牽一發(fā)而動(dòng)全身”，優(yōu)化方案對(duì)光伏電池的良率、轉(zhuǎn)換效率和非硅成本的影響不定，可以提高電池良率的優(yōu)化方案并不一定將帶來非硅成本的降低，這是泛半導(dǎo)體（電子+光伏）制造領(lǐng)域存在的通用問題。

此類生產(chǎn)工藝問題由于存在較多無(wú)法標(biāo)準(zhǔn)化的“隱性知識(shí)”，通常難以通過技術(shù)研發(fā)解決，需要制造廠商整合生產(chǎn)車間、人工進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間多次磨合，積累足夠的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)才可以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化。

同時(shí)，由于此類工藝優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)需要制造廠商組織生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)協(xié)作完成，單一人員的跨公司流動(dòng)通常難以泄露工藝優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)。

因此，一般而言，行業(yè)新進(jìn)入者在生產(chǎn)工藝方面與老玩家存在較大的差距，且在短時(shí)間內(nèi)無(wú)法通過彎道超車彌補(bǔ)工藝經(jīng)驗(yàn)的差距，此類現(xiàn)象在半導(dǎo)體材料（日本保持工藝領(lǐng)先）和TOPCon電池（晶科能源等LP路線先發(fā)廠商保持工藝領(lǐng)先）生產(chǎn)領(lǐng)域均較為明顯。

LP路線頭部廠商率先投產(chǎn)，工藝經(jīng)驗(yàn)領(lǐng)先行業(yè)6個(gè)月以上。

根據(jù)我們上述統(tǒng)計(jì)，23年新建TOPCon電池產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于23H2集中落地，由于晶科、鈞達(dá)均于22Q4前實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，LP路線頭部廠商TOPCon電池投產(chǎn)節(jié)奏較行業(yè)平均水平領(lǐng)先6-9個(gè)月，因此我們預(yù)計(jì)上述廠商TOPCon產(chǎn)線工藝經(jīng)驗(yàn)領(lǐng)先行業(yè)平均水平6個(gè)月以上，率先投產(chǎn)的TOPCon廠商已形成工藝壁壘優(yōu)勢(shì)，后入局者較晶科能源等LP路線頭部廠商的工藝經(jīng)驗(yàn)差距或?qū)㈤L(zhǎng)期存在。

技術(shù)痛點(diǎn)：先入局者研發(fā)進(jìn)展領(lǐng)先，TOPCon技術(shù)痛點(diǎn)已初現(xiàn)解決方案

TOPCon投產(chǎn)存在技術(shù)痛點(diǎn)，率先投產(chǎn)廠商研發(fā)進(jìn)展領(lǐng)先。

目前已投產(chǎn)TOPCon產(chǎn)線的技術(shù)路線主要為L(zhǎng)PCVD與PECVD，其中LPCVD繞鍍問題較為嚴(yán)重，原位摻雜技術(shù)難度高，石英舟等耗材使用壽命較短，產(chǎn)能較其他技術(shù)路線低等問題，PECVD存在爆膜問題，且產(chǎn)線需要熟練生產(chǎn)人員經(jīng)一定時(shí)間調(diào)試才可實(shí)現(xiàn)最佳狀態(tài)，當(dāng)前良率和轉(zhuǎn)換效率據(jù)理想狀態(tài)還存在一定距離，因此TOPCon產(chǎn)線存在一定的技術(shù)痛點(diǎn)。

LPCVD方面，根據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的數(shù)據(jù)，晶科能源在繞鍍、摻雜和石英舟等LPCVD技術(shù)痛點(diǎn)方面均取得了技術(shù)突破。

通過在基底背面塑造均勻膜層+使用酸堿對(duì)背面進(jìn)行刻蝕處理，晶科能源在行業(yè)內(nèi)率先解決了LPCVD繞鍍問題。在石英舟壽命方面，晶科能源利用氯氣去除了石英舟表面的多晶硅層，大大延長(zhǎng)了石英舟壽命；

同時(shí)，通過雙插替代單插，晶科已實(shí)現(xiàn)石英載片舟數(shù)量翻倍，當(dāng)前量產(chǎn)線石英舟壽命約3-6月，較22年使用壽命提升約1倍以上。

同時(shí)，通過壓縮爐管運(yùn)作時(shí)間，提升生產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能，晶科極大地緩解了產(chǎn)能不足對(duì)成本的影響。

通過在繞鍍和石英舟壽命等技術(shù)痛點(diǎn)的進(jìn)步，我們預(yù)計(jì)晶科能源LPCVD產(chǎn)線轉(zhuǎn)換效率較友商PECVD產(chǎn)線領(lǐng)先0.1%以上，且由于技術(shù)痛點(diǎn)的突破僅存在于部分頭部廠商產(chǎn)線，先入局者Know-how優(yōu)勢(shì)明顯，頭部企業(yè)將在TOPCon產(chǎn)業(yè)化初期持續(xù)保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

隨著23Q4TOPCon產(chǎn)能集中落地，TOPCon競(jìng)爭(zhēng)格局短期內(nèi)趨向激烈，但率先投產(chǎn)的頭部廠商仍將憑借工藝與技術(shù)壁壘維持一定的非硅成本優(yōu)勢(shì)，我們預(yù)計(jì)頭部廠商在23Q4之后仍將保持0.02-0.03元/W的超額盈利。 

原標(biāo)題：TOPCon步入量產(chǎn)時(shí)代，先入局者享超額收益？