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編者按：當(dāng)下單晶硅片產(chǎn)能恰好處于那個(gè)不正常狀態(tài)中，由于2018年過度猛烈的行業(yè)洗牌，使得今年單晶硅片的產(chǎn)能是緊缺的，但是到2020年或最晚2021年，優(yōu)質(zhì)單晶硅片產(chǎn)能有可能再次大于市場(chǎng)總需求，屆時(shí)單晶硅片龍頭廠商或許就會(huì)驚喜的發(fā)現(xiàn)：推廣方形單晶硅片是主動(dòng)去產(chǎn)能的利器，方形單晶硅片將會(huì)在硅片產(chǎn)能過剩之時(shí)得到全面普及。

當(dāng)前M2單晶硅片倒角處面積為其硅片面積的0.56%，即是說，若我們生產(chǎn)方單晶硅片，可是的單晶硅片面積增加0.56%。按照電池片的轉(zhuǎn)換效率計(jì)算消滅這部分價(jià)值可給60版型的組件帶來1.8W的功率提升，本文著重回答這1.8W的價(jià)值到底有多少？

一如既往，為了回答這個(gè)問題，我們需要先找到回答這個(gè)問題的框架，然后在結(jié)構(gòu)化思維的框架下順其自然的找到答案所在。我為解答今天文中問題所找到的分析框架是：同樣組件面積下增加功率的價(jià)值相當(dāng)于系統(tǒng)價(jià)成本-逆變器價(jià)格，這是我最新提出的分析高功率組件價(jià)值的簡便思路，所以我認(rèn)為有必要再把這個(gè)分析框架重復(fù)一遍：同樣組件面積下增加功率的價(jià)值相當(dāng)于系統(tǒng)價(jià)成本-逆變器價(jià)格。

舉例來說：同樣組件面積下通過消滅倒角給60版型帶來1.8W的功率提升，某電站項(xiàng)目系統(tǒng)成本為5元/W，逆變器價(jià)格為0.2元/W，那么消滅倒角的價(jià)值量=1.8×（5-0.2）=8.64元。

同樣面積的組件需要一樣的運(yùn)輸、安裝、土地、支架、線纜等成本，同樣面積下更高功率的組件相當(dāng)于贈(zèng)送一部分周邊系統(tǒng)，這是高功率組件溢價(jià)的核心來源。如果我上述分析框架是正確的，那么反過來的結(jié)論也一樣：通過提高組件面積帶來的等比例功率提升并不能帶來組件溢價(jià)，因?yàn)閺慕K端電站業(yè)主角度，這樣的功率提升相應(yīng)地提高了和面積相關(guān)的一系列成本，組件方面自然難有溢價(jià)。

我一直是方單晶的擁護(hù)者，出來上面1.8W計(jì)算出的巨大價(jià)值以外，方單晶還有非常重要的美學(xué)價(jià)值，這個(gè)價(jià)值不好量化，但確實(shí)會(huì)影響人們的選擇，在歐洲，很多客戶寧愿損失部分功率也要執(zhí)著的選擇黑背板，其背后就是這個(gè)道理。

我們即將迎來轟轟烈烈的半片時(shí)代，據(jù)一家光伏資訊機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，年底半片組件產(chǎn)能就將會(huì)達(dá)到58GW，而半片時(shí)代會(huì)放大倒角硅片的問題：


這是一個(gè)基于M2硅片的半片組件，串間距處有非常不規(guī)則的形狀。而如果使用方形單晶硅片封裝出來的半片組件，就可完全解決上述問題：


我還了解到有部分朋友憂慮方單晶帶來的產(chǎn)能損失，為導(dǎo)入方形單晶硅片需要生產(chǎn)更粗直徑的硅棒，由此帶來8%的產(chǎn)能損失，面對(duì)這樣的憂慮我想引用鐘寶申董事長的一句名言作為回答：市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)就是過剩經(jīng)濟(jì)，過剩才是市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的常態(tài)。

當(dāng)下單晶硅片產(chǎn)能恰好處于那個(gè)不正常狀態(tài)中，由于2018年過度猛烈的行業(yè)洗牌，使得今年單晶硅片的產(chǎn)能是緊缺的，但是到2020年或最晚2021年，優(yōu)質(zhì)單晶硅片產(chǎn)能有可能再次大于市場(chǎng)總需求，屆時(shí)單晶硅片龍頭廠商或許就會(huì)驚喜的發(fā)現(xiàn)：推廣方形單晶硅片是主動(dòng)去產(chǎn)能的利器，方形單晶硅片將會(huì)在硅片產(chǎn)能過剩之時(shí)得到全面普及。
原標(biāo)題：消滅單晶硅片倒角的價(jià)值到底有多少？