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編者按：當(dāng)前，光伏企業(yè)龍頭隆基股份以及中環(huán)股份在大硅片的追趕中互不相讓?zhuān)_(kāi)了光伏大硅片時(shí)代的序幕，大硅片市場(chǎng)化成為必然趨勢(shì)。發(fā)展的道路上存在不少荊棘，大尺寸硅片的制造工藝難度較大，目前組件的損失率較高，但薄片化趨勢(shì)會(huì)降低制作成本。

光伏硅片環(huán)節(jié)大型化趨勢(shì)明確，大硅片有望降本增效創(chuàng)造超額收益

光伏硅片大尺寸趨勢(shì)有助于提升硅片產(chǎn)能，降低單位投資，降低拉晶能耗;充分挖掘電池環(huán)節(jié)工藝設(shè)備潛力，降低電池非硅成本。以M9、M10、M12三類(lèi)硅片為例，分別將電池片環(huán)節(jié)的非硅成本降低了15.26%、18.49%、22.49%(相較156.75全方片)。若綜合考慮原材料硅片的成本降低(按一體化測(cè)算)，則M9、M10、M12規(guī)格硅片分別將電池片環(huán)節(jié)的總成本降低了8.66%、10.41%、12.62%。大尺寸硅片經(jīng)濟(jì)效益顯著，有望創(chuàng)造超額收益。

大尺寸硅片制造難度較高，熱場(chǎng)和工藝是核心難點(diǎn)

因?yàn)閺较驕夭钍菬釕?yīng)力來(lái)源，所以單晶硅棒拉制要求徑向溫差盡量小，以避免增殖位錯(cuò)，以及單晶失敗、斷線(xiàn)。徑向溫差是溫度梯度在晶體半徑上的積分，同樣的熱場(chǎng)條件，溫度梯度不變，拉晶的直徑越大，徑向溫差就會(huì)越大，導(dǎo)致拉晶過(guò)程越困難。此外，大直徑拉晶會(huì)增加硅棒重量，對(duì)生產(chǎn)企業(yè)的提拉工藝和后續(xù)加工處理技術(shù)提出更高的要求。

全方硅片去除留白，性?xún)r(jià)比凸顯有望成為主流

全方/類(lèi)方硅片選型的本質(zhì)，是在提高硅棒利用率和組件效率之間進(jìn)行權(quán)衡。一方面，硅料成本的下降削弱了硅棒利用率的重要性。另一方面，組件高效化導(dǎo)致留白區(qū)域功率損失提高。因此，全方硅片性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)凸顯，有望成為未來(lái)單晶硅片主流形式。對(duì)比G1硅片和同邊距大倒角硅片(f213mm)，G1硅片應(yīng)用于72片組件時(shí)增加成本約4.1070元，增加收益約6.2240元，為產(chǎn)業(yè)鏈提供凈收益2.1170元。

細(xì)線(xiàn)化、薄片化趨勢(shì)漸起，助力硅料用量減少

薄硅片有利于降低硅耗和電池成本，核心技術(shù)問(wèn)題在于保障薄硅片機(jī)械強(qiáng)度、提高切片良品率。截至2018年，單晶硅片平均厚度在170-180μm左右，而行業(yè)龍頭薄片量產(chǎn)能力已接近100μm。由于薄硅片機(jī)械強(qiáng)度較弱，電池隱裂問(wèn)題一定程度上制約了薄片化進(jìn)程。預(yù)計(jì)隨著N型電池興起，疊加雙玻、疊瓦、MWT、MBB等抗隱裂組件技術(shù)推廣，硅片厚度將持續(xù)減薄。隨著金剛線(xiàn)母線(xiàn)直徑及磨粒粒徑的降低，以及硅片厚度下降，每公斤方棒的出片量有望持續(xù)增加。2018年單晶方棒每月出片65片，較2017年增加5片。第三方機(jī)構(gòu)ITRPV預(yù)計(jì)未來(lái)10年M2硅耗量有望下降至12.5g左右，屆時(shí)每公斤方棒出片量將達(dá)到80片。 

原標(biāo)題：申萬(wàn)宏源：大尺寸硅片推廣不達(dá)預(yù)期