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IGBT龍頭再度加碼碳化硅賽道 斯達半導定增募資35億元
日期:2021-03-03   [復制鏈接]
責任編輯:simaran_sxj 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
作為A股IGBT龍頭,斯達半導(603290)時隔三個月再度出手,擬通過非公開發(fā)行募資,再度加碼碳化硅等項目。

3月2日晚間,斯達半導披露定增預案顯示,該上市公司擬發(fā)行不超過1600萬股,募資不超35億元,用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目、補充流動資金。

重點投向碳化硅

按照發(fā)行上限測算,斯達半導實控人沈華、胡畏夫婦共計持股比例為40.49%,仍為實際控制人。


自2020年2月上市以來,斯達半導股票累積漲幅超過18倍,最新收盤價報收250.18元/股;坐上A股IGBT功率半導體龍頭位置的斯達半導,IGBT模塊作為主營業(yè)務,占比超過95%以上。

在此次募投項目中,將有近6成資金投向了高壓特色工藝功率芯片和SiC(碳化硅)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。

在上述項目中,斯達半導計劃通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施,購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備,實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項目達產(chǎn)后,預計將形成年產(chǎn)36萬片功率半導體芯片的生產(chǎn)能力。

作為第三代半導體代表之一,SiC的發(fā)展有助于新能源汽車核心器件的國產(chǎn)化,以及改善智能電網(wǎng)、軌道交通等基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵零部件嚴重依賴進口的局面。

據(jù)介紹,SiC功率器件具有降低損耗,減小模塊體積重量的特點。隨著新能源汽車市場迅速發(fā)展,SiC功率器件在高端新能源汽車控制器中大批量應用。2018年特斯拉的主逆變器開始采用SiCMOSFET方案,隨后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亞迪、雷諾等汽車生產(chǎn)商都宣布在其部分產(chǎn)品中采用采用SiC MOSFET方案,讓SiC功率器件市場前景十分廣闊。

據(jù)IHS預測,受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅(qū)動,以及光伏風電和充電樁等領(lǐng)域?qū)τ谛屎凸囊筇嵘挠绊懀A計到2027年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過100億美元,2018-2027年的復合增速接近40%。

布局新能源汽車

證券時報·e公司記者注意到,2020年12月,斯達半導就發(fā)布公告稱,擬投資建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項目,項目計劃總投資2.29億元,投資建設(shè)年產(chǎn)8萬顆車規(guī)級全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心,項目將按照市場需求逐步投入。

有業(yè)內(nèi)人士向記者介紹,碳化硅器件在驅(qū)動電容電阻領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝和技術(shù)已經(jīng)日趨成熟,被認為是可以代替IGBT,但是成本較貴;從功率模組封裝工藝上來說,碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高,斯達半導模塊封裝技術(shù)面臨新的考驗。

斯達半導指出,未來可能在碳化硅領(lǐng)域面臨激烈的市場競爭,雖該公司可以大批量供應汽車級IGBT模塊和SiC模塊,但是目前眾多國內(nèi)企業(yè)開始介入該領(lǐng)域。雖然該行業(yè)的門檻較高,但部分國內(nèi)競爭對手技術(shù)不斷積累,國外廠商內(nèi)部整合,不斷擴大自身影響力,進一步蠶食市場資源。

中金公司研究指出,新能源車全球普及加速,為碳化硅產(chǎn)業(yè)落地迎機遇。目前,碳化硅行業(yè)發(fā)展的痛點在于行業(yè)發(fā)展仍屬初期,襯底材料高昂的制備成本和較低的良率帶來的高售價。但是預計隨著技術(shù)成熟及供應商產(chǎn)能擴張,碳化硅的成本有望實現(xiàn)快速下降,未來五年時間將在電控、車載充電機、DC/DC、快充樁等多個應用場景替代Si-MOSFET/Si-IGBT。

據(jù)測算,到2025年僅中國新能源車及充電樁對于SiC的產(chǎn)能需求超100萬片6寸晶圓,器件市場規(guī)模超過60億元,為本土企業(yè)發(fā)展提供了廣闊的成長空間。因此建議關(guān)注斯達半導、三安光電、聞泰科技、新潔能以及晶盛機電、北方華創(chuàng)、華峰測控。

原標題:IGBT龍頭再度加碼碳化硅賽道 斯達半導定增募資35億元 
 
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來源:證券時報·e公司
 
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