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2012年1月31日，公司宣布DSS™450 MonoCast™晶體生長系統(tǒng)面市。在總產(chǎn)出方面，GT的DSS™450 MonoCast™熔爐所生長材料生產(chǎn)的模塊可媲美結(jié)合傳統(tǒng)滲硼直拉單晶硅晶圓的模塊。DSS450 MonoCast熔爐具備多種新功能，可實現(xiàn)每個鑄錠的單晶硅產(chǎn)量≥80%，與其他鑄造單晶硅技術(shù)相比，能大幅提升每個晶柱中的I級晶圓（大于90%單晶硅/晶圓）產(chǎn)量。GT的DSS450和DSS450HP系統(tǒng)率先采用MonoCast™技術(shù)。

同日，GTAT推出綜合績效管理解決方案Acuity™軟件，便于操作人員優(yōu)化GT的DSS™系列晶體生長熔爐績效。Acuity軟件可監(jiān)測DSS生產(chǎn)數(shù)據(jù)，方便PV制造商實時觀察設(shè)備的實際性能和理想性能。通過了解這些性能差距，各公司可在獲悉更多情況的條件下作出決定，確保DSS熔爐能以最佳效率水平反復(fù)運轉(zhuǎn)。

2012年9月25日，GT Advanced Technologies宣布了兩個新的DSS技術(shù)升級，已有用戶通過升級其DSS技術(shù)可以獲得更低成本的產(chǎn)品，同時還可以提高其爐子生產(chǎn)的材料的質(zhì)量。一個升級是MultiPlus場升級，目標(biāo)是改善GT DSS爐子生產(chǎn)的材料質(zhì)量，通過該升級可以得到更高效率的多晶硅材料。第二個升級是允許DSS客戶將目前的Gen5 DSS 450和650爐提升至Gen6的生產(chǎn)水平，因此可以降低總體硅片成本。此外，更高容量 系統(tǒng)將提供一個連接Gen6 MonoCast產(chǎn)品的路徑，所有這些都在同一個爐子里完成。所有的升級可以兼容公司的Acuity DSS性能監(jiān)測軟件，該軟件可以通過遠(yuǎn)程監(jiān)控和連續(xù)性能分析來優(yōu)化DSS生產(chǎn)力。同時，還透露，GT正在開發(fā)其HiCz技術(shù)，以實現(xiàn)下一代材料質(zhì)量的提高和成本縮減，因為行業(yè)將在接下來的幾年從N型材料過渡至更高的效率水平。

2013年7月8日GTAT 推出了其新型SiClone(TM)100碳化硅（SiC）生產(chǎn)爐。SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。

2013年發(fā)布的Q3財報顯示，GTAT多晶硅業(yè)務(wù)并不景氣，太陽能設(shè)備部門持續(xù)疲軟。三季度，GTAT多晶硅銷售額同比暴跌70%，僅為2860萬美元。三季度總營收4030萬美元，凈虧3810萬美元。同時，三季度GTAT持續(xù)研發(fā)數(shù)個多晶硅與太陽能技術(shù)，含Hyperion離子植入系統(tǒng)及HiCz型材料解決方案，前者適用于光伏與電力的制造應(yīng)用領(lǐng)域。

2014年3月，GTAT推出創(chuàng)新型太陽能電池鍍膜與互聯(lián)技術(shù)，這項被稱為“梅林”(Merlin)的技術(shù)預(yù)計可在太陽能組件的生產(chǎn)與安裝過程中節(jié)約大幅成本。新技術(shù)的一個重要組成為彈性網(wǎng)格，用來替代傳統(tǒng)的兩柵和三柵銀主柵線，同時大幅降低了銀漿的使用量。經(jīng)由傳統(tǒng)電池串工藝制得的兩柵和三柵銀主柵線結(jié)構(gòu)電池已被確認(rèn)具有多種關(guān)鍵問題，包括焊點失效、熱點、彩帶焊點失效等。太陽能電池制造商始終都在關(guān)注包括降低使用量在內(nèi)的銀漿減本策略，并同時提高電池轉(zhuǎn)換效率。Merlin技術(shù)所具有的創(chuàng)新機制預(yù)計可大幅降低昂貴的銀漿使用量，公司稱降幅可高達80%，同時還稱可提高電池板效率，并將組件成本降低10%。公司計劃在2015年一季度實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。