多晶硅料的生產(chǎn)技術(shù):三氯氫硅西門子法為主流,未來硅烷流化床法占比將提升
當(dāng)前多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要有三氯氫硅西門子法和硅烷流化床法,生產(chǎn)出來的產(chǎn)品形態(tài)分別為棒狀和顆粒狀。
三氯氫硅西門子法的生產(chǎn)流程是利用氯氣和氫氣合成 HCL(或外購無水 HCL),HCL 和 工業(yè)硅粉在一定的溫度下合成 SiHCL3,之后對 SiHCL3 進(jìn)行分離精餾提純,提純后的 SiHCL3 在氫還原爐內(nèi)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)得到高純多晶硅。
三氯氫硅西門子法主要 包括五個環(huán)節(jié):SiHCL3 合成、SiHCL3 精餾提純、SiHCL3 的氫還原、尾氣回收和 SiCL4 的氫化分解。其中尾氣回收和 SiCL4 的使得原輔材料能循環(huán)利用,降低了材料消耗。
硅烷流化床法技術(shù)是先在沸騰床內(nèi)生成 SiHCL3,后通過歧化反應(yīng)制得硅烷,硅烷經(jīng)純 化后,采用流化床反應(yīng)爐工藝分解成毫米級的顆粒狀多晶硅。相比于三氯氫硅西門子法, 硅烷流化床法由于工藝是閉環(huán),且基本不產(chǎn)生副產(chǎn)品和廢棄物,因此有助于降低建廠投 資成本和生產(chǎn)能耗。
但硅烷流化床法受制于其穩(wěn)定性等問題(如因壁面沉積發(fā)生尾氣管 道堵塞以及不易控制產(chǎn)品純度等),因此當(dāng)前市場主流的技術(shù)還是三氯氫硅西門子法。在 2020 年采用三氯氫硅西門子法生產(chǎn)出來的棒狀硅約占全國總產(chǎn)量的 97.2%,而采用 硅烷流化床法生產(chǎn)的顆粒硅僅占 2.8%。
但 N 型電池的發(fā)展將擴(kuò)大顆粒硅的市場需求,一旦顆粒硅解決了生產(chǎn)穩(wěn)定性、一致性、 規(guī)模化以及產(chǎn)品質(zhì)量的問題,顆粒硅市場份額可能會出現(xiàn)快速增長。據(jù) CPIA 預(yù)測,自 2020 年開始,采用硅烷流化床法所生產(chǎn)出來的多晶硅占全國多晶硅總產(chǎn)量的比重將會 上升,到 2025 年比重預(yù)計將達(dá)到 7%。
多晶硅料生產(chǎn)成本的構(gòu)成:降本之路重在降能耗
多晶硅的生產(chǎn)成本主要有能耗成本(電力、水、蒸汽)、原材料成本(工業(yè)硅、氯氣)以及折舊(設(shè)備投資)等,其中能耗成本占比最大,因此降低生產(chǎn)成本主要在于降低能耗成本的支出。例如,可以在電價較低的地區(qū)建廠,如新疆和內(nèi)蒙古;或可以通過降低單位產(chǎn)出的電耗來降低成本,如提升還原爐的性能,提高單爐產(chǎn)量等。
2020 年,多晶硅綜合能耗平均值為 11.5kgce/kg-Si,同比下降 8%。其中綜合電耗為 66.5kWh/kg-Si,同比下降 5%,目前硅烷流化床法顆粒硅綜合電耗較三氯氫硅西門子法 棒狀硅低 40%-50%。
預(yù)計到 2030 年,綜合能耗可降至 9.6kgce/kg-Si,而綜合電耗則 降至 66.5kWh/kg-Si。2020 年,行業(yè)硅單耗在 1.1kg/kg-Si 水平,基本與 2019 年持平, 預(yù)計到 2030 年將降低到 1.07kg/kg-Si。
當(dāng)前,隨著生產(chǎn)裝備技術(shù)的進(jìn)步、單位規(guī)模和工 藝水平的提升,三氯氫硅西門子法多晶硅生產(chǎn)線設(shè)備投資成本正逐年下降。2020 年投 產(chǎn)的萬噸級多晶硅生產(chǎn)線設(shè)備投資成本已降至 1.02 億元/千噸,而人均產(chǎn)出量隨著多晶 硅工藝的不斷提高也有所增加,2020 年多晶硅生產(chǎn)線人均產(chǎn)出量為 36 噸/年/人,較 2019 年提升了 1 噸/年/人。
隨著 2022-2023 年多晶硅新投產(chǎn)線單線規(guī)模增大以及自動 化程度提升,人均產(chǎn)出量將會有較大幅度的增長,提高到 45 噸/年/人,而到 2030 年則 將提高到 47.5 噸/年/人。
未來,隨著 N 型單晶電池的擴(kuò)產(chǎn),對硅料的要求將從當(dāng)前的純度提升到電子級的純度, 并且隨著海外及國內(nèi)高成本多晶硅廠商的逐步退出,國內(nèi)具備成本和規(guī)模優(yōu)勢的低成本 產(chǎn)能將可能獲取更多的市場份額。
原標(biāo)題:多晶硅料:降本和提純提升廠商規(guī)模優(yōu)勢