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3.2掃描式測(cè)量

硅片由基準(zhǔn)環(huán)上的3個(gè)半球狀頂端支承，在硅片中心點(diǎn)進(jìn)行厚度測(cè)量，測(cè)量值為硅片的標(biāo)稱厚度。

然后按規(guī)定圖形掃描硅片表面，進(jìn)行厚度測(cè)量，自動(dòng)指示儀顯示出總厚度變化。掃描路徑圖見(jiàn)圖2。

4干擾因素

4.1分立點(diǎn)式測(cè)量

4.1.1由于分立點(diǎn)式測(cè)量總厚度變化只基于5點(diǎn)的測(cè)量數(shù)據(jù)，硅片上其他部分的無(wú)規(guī)則幾何變化不能被檢測(cè)出來(lái)。

4.1.2硅片上某一點(diǎn)的局部改變可能產(chǎn)生錯(cuò)誤的讀數(shù)。這種局部的改變可能來(lái)源于表面缺陷例如崩邊，沽污，小丘，凹坑，刀痕，波紋等。

4.2掃描式測(cè)量

4.2.1在掃描期間，參考平面的任何變化都會(huì)使測(cè)量指示值產(chǎn)生誤差，相當(dāng)于在探頭軸線上最大與最小值之差在軸線矢量值的偏差。如果這種變化出現(xiàn)，可能導(dǎo)致在不正確的位置計(jì)算極值。

4.2.2參考平面與花崗巖基準(zhǔn)面的不平行度也會(huì)引起測(cè)試值的誤差。

4.2.3基準(zhǔn)環(huán)和花崗巖平臺(tái)之間的外來(lái)顆粒、沽污會(huì)產(chǎn)生誤差。

4.2.4測(cè)試樣片相對(duì)于測(cè)量探頭軸的振動(dòng)會(huì)產(chǎn)生誤差。

4.2.5掃描過(guò)程中，探頭偏離測(cè)試樣片會(huì)給出錯(cuò)誤的讀數(shù)。

4.2.6本測(cè)試方法的掃描方式是按規(guī)定的路徑進(jìn)行掃描，采樣不是整個(gè)表面，不同的掃描路徑可產(chǎn)生不同的測(cè)試結(jié)果。