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5.2.2.2探測位置垂直方向的位移分辨率不大于0.25µm,

5.2.2.3在標稱零位置附近，每個探頭的位移范圍至少為25μm。

5.2.2.4在滿刻度讀數(shù)的0.5％之內(nèi)呈線性變化。

5.2.2.5在掃描中，對自動數(shù)據(jù)采樣模式的儀器，采集數(shù)據(jù)的能力每秒鐘至少100個數(shù)據(jù)點。

5.2.2.6探頭傳感原理可以是電容的、光學的或任何其他非接觸方式的，應(yīng)選用適當?shù)奶筋^與硅片表面間距。規(guī)定非接觸是為防止探頭使試樣發(fā)生形變。指示器單元通?？删哂校?1)計算和存儲成對位移測量的和或差值以及識別這些數(shù)量最大和最小值的手段，(2)存儲各探頭測量值的選擇顯示開關(guān)等。顯示可以是數(shù)字的或模擬的（刻度盤），推薦用數(shù)字讀出，來消除操作者引人的讀數(shù)誤差。

5.2.3定位器

限制基準環(huán)移動的裝置，除停放裝置外，它使探頭固定軸與試樣邊緣的最近距離不能小于6.78mm?；鶞虱h(huán)的定位見圖4。


5.2.4花崗巖平板：工作面至少為305mm×355mm。

5.2.5厚度校準樣片：變化范圍等于待測硅片標稱厚度±0.125mm，約50μm為一檔。每個校準樣片的表面粗糙度在0.25μm之內(nèi)，厚度變化小于1.25μm。標準樣片面積至少應(yīng)為1.6c㎡，最小邊長為13mm。

6取樣原則與試樣制備

6.1從一批硅片中按GB/T 2828.1計數(shù)抽樣方案或雙方商定的方案抽取試樣。

6.2硅片應(yīng)具有清潔、干燥的表面。

6.3如果待測硅片不具備參考面，應(yīng)在硅片背面邊緣處做出測量定位標記。